TP65H050WS / TP65H035WS Трети поколение (Gen III) Галиев нитрид (GaN) Тензионен транзистор (FET)

Transformers GaN FETs се характеризират с по-тихо превключване чрез намаляване на електромагнитните смущения (EMI) и увеличаване на шума имунитет

TP65H050WS на Transphorm и TP65H035WS са Gen III III 650 V GaN FETs. Те осигуряват по-нисък EMI, увеличен имунитет към шума от портата и по-голямо пространство при използване в електрически вериги. 50 м & Омега; TP65H050WS и 35 м & Омега; TP65H035WS се предлагат в стандартни TO-247 пакети.

MOSFET и модификациите на дизайна позволяват устройствата Gen III да осигуряват повишено прагово напрежение (шумоизолация) до 4 V от 2.1 V (Gen II), което премахва необходимостта от отрицателно задвижване на порта. Порталът се увеличи от Gen II с 11% до + 20%. Това води до по-тихо превключване и платформата осигурява подобрение на производителността при по-високи токови нива с прости външни схеми.

Компанията 1600T на Seasonic Electronics е 1600 W безстепенна платформа за тотем-полюс, която използва тези високоефективни GaN FETs, за да постигне 99% ефективност на коригиране на мощността (PFC) в зарядни устройства (е-скутери, промишлени и др.), , и игрални пазари. Ползите от използването на тези FETs със силиконовата платформа 1600T включват повишена ефективност с 2% и увеличена плътност на мощността с 20%.

Платформата 1600T използва Transphorm TP65H035WS за постигане на повишена ефективност в схемите с твърди и меки комутатори и предоставя на потребителите възможности при проектиране на продукти на електроенергийната система. Двойките TP65H035WS с често използвани драйвъри на порта за опростяване на дизайна.