СЕУЛ, Южна Корея, 7 август 2026 г. — SK hynix обяви, че ще построи нови съоръжения за производство на полупроводници в Yongin и Cheongju, Южна Корея, за да отговори на растящото търсене на памет в ерата на AI.
Бордът на директорите на компанията одобри инвестиции в размер на 35.2 трилиона KRW за фабриката Yongin Y2 и 19.1 трилиона KRW за фабриката Cheongju M17, за обща инвестиция от около 54.3 трилиона KRW.
Решението маркира още една стъпка в реализирането на средносрочната и дългосрочната инвестиционна стратегия на компанията, обявена през юни. SK hynix преди това разкри планове да инвестира 600 трилиона KRW в полупроводниковия клъстер в Yongin и 100 трилиона KRW в разширяването на производствената си база в Cheongju. Строителството на Y1, първата фабрика в Yongin, напредва по план, докато последното решение стартира следващата фаза на разработка на фабрики и в Yongin, и в Cheongju.
Според фирмата за пазарни изследвания Omdia, търсенето на пазарите за DRAM и NAND флаш се очаква да нараства с среден годишен ръст от 19% от миналата година до 2030 г. SK hynix заяви, че този ръст не е временен повишаване на индустрията, а отразява структурна промяна, при която паметта е еволюирала от общокомпонентен елемент в основна инфраструктура, която влияе на производителността на AI.
"В ерата на AI технологичната конкурентоспособност сама по себе си вече не е достатъчна, за да се запази предимството. Способността да се доставят достатъчни продукти, когато клиентите имат нужда от тях, се е превърнала в истински мярка за конкурентоспособност," каза SK hynix. "Това инвестиционно решение е взето след обширна оценка на пазарното търсене."
Y2 ще бъде втората от четирите фабрики, които ще бъдат строени последователно в рамките на полупроводниковия клъстер в Yongin. С обща площ от приблизително 341,000 пьонг, или 1.13 милиона квадратни метра, съоръжението ще служи като производствена база за DRAM.
Строителството е планирано да започне през юли 2027 г., като първата чиста стая се очаква да отвори врати през юни 2029 г. Фабриката ще произвежда основно продукти от следващо поколение DRAM, включително памет с висока пропускателна способност. Строителството на фабриката Y1 също напредва гладко, като първата чиста стая е планирана да отвори врати през февруари 2027 г.
SK hynix преди това ускори целевата завършеност на целия полупроводников клъстер в Yongin от 2045 г. на 2033 г., когато се очаква всички четири фабрики да бъдат завършени. Проектът Y2 представлява втората фаза от този ускорен план, като инвестицията ще бъде извършена по етапи до октомври 2031 г.
Инвестицията включва също изграждането на сграда за подкрепа на служителите с офис и социални съоръжения, интегриран R&D център за развитие на продукти, експериментиране, тестване и анализ, и свързана инфраструктура.*
*Свързаната инфраструктура включва системи за пречистване на вода, общи комунални съоръжения за електричество, комуникации, вода, канализация и разпределение на топлина, подстанции и складове.
Полупроводниковият клъстер в Yongin се намира в Wonsam-myeon, Cheoin-gu, Yongin, провинция Gyeonggi, и обхваща приблизително 1.26 милиона пьонг, или 4.16 милиона квадратни метра. Първата фаза на електрическата и водната инфраструктура, необходима за подкрепа на Y2, е завършена на 99% и наближава завършване. Компанията планира да напредва в строителството на фабрики и инфраструктура паралелно, за да може Y2 да продължи по график, без забавяния в строителството.
С увеличаване на приемането на AI услуги, търсенето на NAND флаш нараства бързо, водено от корпоративни SSD дискове. Търсенето на KV кеш* в AI инференцията също нараства, докато нововъзникващото приемане на агентен AI и физически AI се очаква да разшири допълнително приложенията на NAND флаш.
*KV кеш е техника, която съхранява и преизползва преди генерирани ключови и стойностни вектори, за да намали повторните изчисления и да подобри обработващата ефективност.
SK hynix избра Cheongju за новата си производствена база за NAND флаш, защото местоположението позволява на компанията да ускори строителството. Кампусът в Cheongju вече е домакин на производствени съоръжения M11, M12 и M15 за NAND флаш, което позволява на новата фабрика да се възползва от оперативни синергии с вече съществуващите производствени линии. Площадът, електрическото захранване, водоснабдяването и другата инфраструктура също са предимно на място.
Фабриката M17 ще има обща площ от приблизително 206,000 пьонг, или 680,000 квадратни метра. Строителството е планирано да започне през февруари 2027 г., а първата чиста стая се очаква да отвори врати през декември 2028 г. Инвестицията ще продължи до април 2031 г. и ще бъде реализирана по етапи в съответствие с напредъка на бизнеса.
SK hynix заяви, че ще направи инвестиции с перспективи в производствената инфраструктура, въз основа на текущите обсъждания с клиентите относно техните средносрочни и дългосрочни изисквания. Строителството на фабриката ще продължи по график, докато разширението на чистите стаи и инсталирането на оборудване ще се извърши на етапи в съответствие с актуалното търсене на клиентите и пазарните условия, за да се подобри ефективността на инвестициите.
Компанијата очаква инвестициите да укрепят основата за бъдещ растеж, да повишат конкурентоспособността на семикондукторната екосистема на Южна Корея и да подкрепят регионалното икономическо развитие. Големите проекти в Йонгин и Чонгжу също се очаква да създадат допълнителни възможности за растеж за партньорските компании, да генерират заетост и да стимулират местната търговска дейност, което допринася за устойчивия растеж на националната икономика.
„Тази инвестиция е предназначена да улови възможностите за растеж в стъпка с разширяването на пазара“, каза служител на SK hynix. „Чрез планиране на инфраструктурата с перспектива, ще осигурим необходимия производствен капацитет, за да стабилизираме глобалната верига на доставки на AI семикондуктори и да установим SK hynix като водещ партньор в инфраструктурата на AI.“