Според източници от индустрията, цитирани от ZDNet, Samsung Electronics преоценява целта на линия NRD-K 2, която е в строеж в кампуса им в Гихунг. Компанията обмисля преобразуването на първоначално планираната линия за научни изследвания и разработки в производствена линия за чипове, посветена на производството на основни чипове с 2nm логика за следващо поколение памет с висока пропускателна способност (HBM). Целта е да се подготвим за бързо растящото бъдещо търсене на HBM от големи клиенти като Nvidia.
Според източници от индустрията, цитирани от ZDNet, Samsung Electronics преоценява целта на линия NRD-K 2, която е в строеж в кампуса им в Гихунг. Компанията обмисля преобразуването на първоначално планираната линия за научни изследвания и разработки в производствена линия за чипове, посветена на производството на основни чипове с 2nm логика за следващо поколение памет с висока пропускателна способност (HBM). Целта е да се подготвим за бързо растящото бъдещо търсене на HBM от големи клиенти като Nvidia.
Линия NRD-K 2 беше първоначално проектирана за напреднало развитие на процеси. Според последния план, съоръжението основно ще снабдява с основни чипове за персонализирани HBM продукти и HBM5 след като започне работа. Samsung е решил да произвежда основни чипове HBM5, използвайки 2nm процес на база архитектурата си gate-all-around (GAA). Очаква се продуктите от следващо поколение да предлагат скорости на пренос на данни с над 50% по-високи от HBM4E, което прави конвенционалните дизайни на основни чипове все по-невъзможни за удовлетворяване на изискванията за пропускателна способност и консумация на енергия. Seoul Economic Daily преди това докладва, че Samsung публично разкри подробности за решението си HBM5 за първи път през юни тази година.
Линията е планирано да започне работа през втората половина на 2028 година. Източници казаха, че тъй като съоръжението е относително малко, най-вероятно ще работи под модел “send-fab” като спомагателен завод. Вместо да обработва целия производствен процес на вафери независимо, то ще получава вафери от основните производствени линии на Samsung с високи обеми и ще изпълнява само определени стъпки от процеса. Съоръжението ще допълни капацитета на Samsung за усъвършенствани технологии, вместо да работи като напълно самостоятелна производствена линия.
Проектът все още е приблизително на две години от целевото си стартиране, а крайният план все още не е одобрен. Въпреки че вътрешното предложение е основно в сила, поръчките за покупка на оборудване не са издадени. Сумата на инвестицията и евентуалната цел на съоръжението все още може да бъде коригирана в отговор на изменения в търсенето на пазара на полупроводници.
NRD-K е интегриран комплекс за напреднали изследвания и разработки, строен от Samsung с инвестиция от приблизително 20 трилиона вона. Планира се обектът да включва три производствени линии. Линия 1 беше завършена в края на 2024 година, докато предварителната подготовка на обекта за Линия 2 започна тази година, а основните строителни работи в момента са в ход.
Потенциалната промяна на линия за НИР на Samsung в специализирана производствена линия за основни чипове HBM отразява стратегията на компанията за укрепване на координацията между бизнеса с памет и бизнеса с производствени услуги. HBM5 и персонализираните HBM продукти, проектирани за следващото поколение графични процесори Feynman на Nvidia, ще изискват високопроизводителни основни чипове. Ако Samsung може да произвежда тези основни чипове с 2nm в завода си, това може да укрепи конкурентната му позиция и да осигури по-голям контрол върху производствения капацитет за основен компонент на HBM.