На 27 юли Samsung Electronics публикува официално интервю с Ку Ча-хюн, ръководител на технологичното развитие в бизнес подразделението за полупроводници на компанията. В интервюто Samsung за първи път очерта архитектурата на процеса, очакваните подобрения в производителността и целевите приложения на следващото поколение HBM5 памет с висока честотна лента, предоставяйки по-ясни насоки за HBM пътната карта на индустрията.
Ку каза, че се очаква HBM5 да работи над 50% по-бързо от текущото масово произведено поколение HBM4E. Основният базов чип ще бъде произведен с помощта на 2-нанометров процес на трансистори с обхващаща врата и ще бъде комбиниран с допълнително усъвършенствана, силно интегрирана технология за вертикални свързвания през силиций. Дизайнът е предназначен да осигури подобрения в производителността в цялата архитектура на трансистора, технологиите за обработка на вафли и стекираните свързвания.
Samsung ще изгради на опита от процеса и възможностите за масово производство, които е придобила от производството на базови чипове HBM4 на своя 4-нанометров технологичен възел. Чрез предварителното въвеждане на усъвършенстван 2-нанометров процес в HBM5, компанията цели да укрепи технологичната си позиция на пазара на високо класова AI памет.
На фронта на разширяването на пазара Samsung планира да използва HBM5 като основен продукт, за да разширява клиентското си покритие в множество пазари. В допълнение към поддръжката на обучение на големи модели AI и приложения за високопроизводителни изчисления, продуктът се очаква да се разшири и в мобилни устройства, автомобилна електроника, хуманоидни роботи и други нововъзникващи сегменти. Чрез своите паметни продукти от висок клас Samsung цели да отговори на търсенето на изчислителни решения в много категории устройства и да разширява допълнително своята полупроводникова екосистема.
Интервюто отразява настоящите планове на Samsung за развитие на технологии. Компанията не разкри подробности за увеличаването на производството на своя 2-нанометров GAA процес, предизвикателствата на масовото производство на силно интегрирани TSV стеки или графика за вземане на проби и обемно производство на HBM5.
Индустриалните наблюдатели широко очакват HBM5 да стане стандартно решение за памет за висококласни AI ускорители около 2028 година. Допълнителни подробности относно спецификациите на продукта, квалификациите на клиентите и производствените капацитети се очаква да бъдат публикувани на бъдещи технологии събития на Samsung или брифинги за печалби.