Ускорете разработването и пускането на модерни мощностни решения за галиев нитрид; да се възползват пълноценно от експертизата на ST за автомобилния пазар и водещата в света технологична технология на TSMC; подобрете енергийната ефективност на широколентовите продукти и направете приложенията за преобразуване на мощност по-енергийно ефективни
На 24 февруари STMicroelectronics и TSMC работиха заедно, за да ускорят развитието на технологията на процеса на галиев нитрид (GaN) и доставката на GaN дискретни и интегрирани устройства. Чрез това сътрудничество, иновативните стратегически продукти на галиев нитрид на ST ще използват водещия в индустрията производствен процес на GaN на TSMC.
镓 Галиев нитрид (GaN) е широколентов полупроводников материал. В сравнение с традиционните силиконови полупроводници, той има очевидни предимства. Например, той има по-висока енергийна ефективност при работа с висока мощност, което значително намалява загубата на паразитна мощност. GaN технологията може да проектира и по-компактни устройства, като по този начин придава на целевото приложение по-добър форм-фактор. В допълнение, скоростта на превключване на устройствата за нитриди на галий е 10 пъти по-голяма от тази на силициевите устройства и в същото време пиковата работна температура е по-висока. Тези здрави и силни характеристики на материала правят галиев нитрид много подходящ за нарастващите 100V и 650V автомобилни, промишлени, телекомуникационни и специфични потребителски и други приложения.
По-специално, в сравнение със силициевата технология, базирана на една и съща топология, мощностният галиев нитрид и галиев нитрид IC технология ще позволи на STMicroelectronics да предостави на клиентите по-добри енергийно ефективни решения за приложения със средна и висока мощност, включително хибридни и електрически превозни средства. Преобразувател и зарядно устройство. Технологиите за мощност на галиев нитрид и галиев нитрид ще помогнат за бързото развитие на електрификацията на леките автомобили и търговските превозни средства.
Марко Монти, президент на автомобилни и дискретни устройства, STMicroelectronics, каза: „Като лидер в взискателната автомобилна и индустриална широколентова полупроводникова технология и мощност полупроводникова индустрия, STMicroelectronics е оптимистичен за ускоряване на разработването и доставката на технология за технология на нитрид на галий, огромната възможност, лансирана от пускането на пазара на продукти за интегриране на галиев нитрид и галиев нитрид. TSMC е надежден партньор за леярна дейност и само те могат да отговорят на уникалните изисквания за планиране на надеждност и развитие на целевите клиенти на ST. "Този съвместен проект допълва производствения ни капацитет за производството на мощен галиев нитрид в сътрудничество с CEA-Leti в завода в Турс, Франция. GaN е следващата основна иновация в силовата и интелигентната електроника и технологичните технологии. "
„Очакваме с нетърпение да работим със STMicroelectronics за внедряване на технология за електроника на галиев нитрид в индустриални и автомобилни приложения за преобразуване на мощност. Водещият експертен опит в производството на галиев нитрид на галий TSMC, комбиниран с продуктовия дизайн на ST и сертифицирането на автомобилния клас, ще подобри значително енергията ефективността на преобразуването на електроенергия в промишлеността и автомобила, правят го по-енергийно ефективен и екологичен и спомагат за ускоряване на процеса на електрификация на автомобилите. "
Съобщава се, че STMicroelectronics се очаква да достави първите проби от отделни устройства за галиев нитрид на отделни клиенти по-късно тази година, а след това да достави GaN IC продукти след няколко месеца.